Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APTGT200DH120G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1553729

APTGT200DH120G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$109.233
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTGT200DH120G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APTGT200DH120G.pdf
    2.APTGT200DH120G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Pakkuja seadme pakett
    SP6
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    890W
  • Pakett / kott
    SP6
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    14nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    350µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    280A
  • Konfiguratsioon
    Asymmetrical Bridge

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTGT200DH120G" seotud tooted.
APTGT200A120G

APTGT200A120G

Kirjeldus: POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK60TG

APTGT200SK60TG

Kirjeldus: IGBT 600V 290A 625W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA60T3AG

APTGT200DA60T3AG

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 290A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200H120G

APTGT200H120G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA60TG

APTGT200DA60TG

Kirjeldus: IGBT 600V 290A 625W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DU60TG

APTGT200DU60TG

Kirjeldus: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK60T3AG

APTGT200SK60T3AG

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 290A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK120D3G

APTGT200SK120D3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 300A 1050W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK120G

APTGT200SK120G

Kirjeldus: IGBT 1200V 280A 890W SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DH60G

APTGT200DH60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA170D3G

APTGT200DA170D3G

Kirjeldus: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK170D3G

APTGT200SK170D3G

Kirjeldus: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200H60G

APTGT200H60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA120D3G

APTGT200DA120D3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 300A 1050W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA120G

APTGT200DA120G

Kirjeldus: IGBT 1200V 280A 890W SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200A60TG

APTGT200A60TG

Kirjeldus: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200A170D3G

APTGT200A170D3G

Kirjeldus: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200A602G

APTGT200A602G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200A60T3AG

APTGT200A60T3AG

Kirjeldus: IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DU120G

APTGT200DU120G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.