Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APTGT200SK120G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4924817

APTGT200SK120G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$78.696
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTGT200SK120G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 280A 890W SP6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APTGT200SK120G.pdf
    2.APTGT200SK120G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Pakkuja seadme pakett
    SP6
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    890W
  • Pakett / kott
    SP6
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    14nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    350µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    280A
  • Konfiguratsioon
    Single

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTGT200SK120G" seotud tooted.
APTGT200DH120G

APTGT200DH120G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK170D3G

APTGT200SK170D3G

Kirjeldus: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DU120G

APTGT200DU120G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20H60T3G

APTGT20H60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA60T3AG

APTGT200DA60T3AG

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 290A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK60TG

APTGT200SK60TG

Kirjeldus: IGBT 600V 290A 625W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20TL601G

APTGT20TL601G

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 32A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20A60T1G

APTGT20A60T1G

Kirjeldus: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DH60G

APTGT200DH60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DU60TG

APTGT200DU60TG

Kirjeldus: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA60TG

APTGT200DA60TG

Kirjeldus: IGBT 600V 290A 625W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20DSK60T3G

APTGT20DSK60T3G

Kirjeldus: IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20DDA60T3G

APTGT20DDA60T3G

Kirjeldus: IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK60T3AG

APTGT200SK60T3AG

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 290A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200H60G

APTGT200H60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200H120G

APTGT200H120G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200SK120D3G

APTGT200SK120D3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 300A 1050W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200TL60G

APTGT200TL60G

Kirjeldus: POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT20H60T1G

APTGT20H60T1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT200DA170D3G

APTGT200DA170D3G

Kirjeldus: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.