Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N3646
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6688364

JAN1N3646

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$18.127
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N3646
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N3646.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    5V @ 250mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1750V
  • Pakkuja seadme pakett
    S, Axial
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    S, Axial
  • Muud nimed
    1086-2001
    1086-2001-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1750V 250mA Through Hole S, Axial
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 1750V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    250mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N3646" seotud tooted.
JAN1N3613

JAN1N3613

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Kirjeldus: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Kirjeldus: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3600

JAN1N3600

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.