Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N3768R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4385598

JAN1N3768R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$65.281
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N3768R
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N3768R.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.4V @ 110A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-5
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Muud nimed
    1086-16821
    1086-16821-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Chassis, Stud Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard, Reverse Polarity
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    35A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N3768R" seotud tooted.
JAN1N3646

JAN1N3646

Kirjeldus: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3822CUR-1

JAN1N3822CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3822AUR-1

JAN1N3822AUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3822C-1

JAN1N3822C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.