Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5418
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2450649

JAN1N5418

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
118+
$8.649
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5418
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N5418.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5V @ 9A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    150ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-2090
    1086-2090-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 3A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N5418" seotud tooted.
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Kirjeldus: DIODE CURRENT REG 100V

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Kirjeldus: DIODE CURRENT REG 100V

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Kirjeldus: DIODE CURRENT REG 100V

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Kirjeldus: DIODE CURRENT REG 100V

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.