Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5420
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2385302JAN1N5420 piltMicrosemi

JAN1N5420

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$13.48
10+
$12.128
100+
$9.972
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5420
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5V @ 9A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    B, Axial
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    400ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-2094
    1086-2094-MIL
    Q8738938A
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 3A Through Hole B, Axial
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N5415

JAN1N5415

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5519C-1

JAN1N5519C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5417

JAN1N5417

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5418

JAN1N5418

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5519BUR-1

JAN1N5519BUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5416

JAN1N5416

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5419

JAN1N5419

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi