Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > STY50N105DK5
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3278740

STY50N105DK5

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$26.45
30+
$22.483
120+
$20.896
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    STY50N105DK5
  • Tootja / bränd
    STMicroelectronics
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    MAX247™
  • Seeria
    SuperMESH5™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 22A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    625W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    497-17225
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6600pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1050V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1050V 44A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "STY50N105DK5" seotud tooted.
STY100NS20FD

STY100NS20FD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IPP200N15N3GXKSA1

IPP200N15N3GXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STY130NF20D

STY130NF20D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STY80NM60N

STY80NM60N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY112N65M5

STY112N65M5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 93A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY34NB50

STY34NB50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 34A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY100NM60N

STY100NM60N

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 98A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFIZ46N

IRFIZ46N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STY60NM50

STY60NM50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY140NS10

STY140NS10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY145N65M5

STY145N65M5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY139N65M5

STY139N65M5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY30NK90Z

STY30NK90Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY60NM60

STY60NM60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STY60NK30Z

STY60NK30Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 60A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STY105NM50N

STY105NM50N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
ZVP4424ZTA

ZVP4424ZTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.