Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Optoelektroonika > Laserdioodid, moodulid > GH04125A2A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4503822

GH04125A2A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GH04125A2A
  • Tootja / bränd
    Sharp Microelectronics
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    LASER DIODE 406NM 130MW TO18
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GH04125A2A.pdf
  • ECAD -mudel
  • Lainepikkus
    406nm
  • Pinge - sisend
    5.4V
  • Seeria
    -
  • Võimsus (W)
    130mW
  • Pakett / kott
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Laser Diode 406nm 130mW 5.4V 125mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Praegune hindamine
    125mA

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "GH04125A2A" seotud tooted.
DM80-01-1-8870-3-LC

DM80-01-1-8870-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1589NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
DM80-01-1-9020-3-LC

DM80-01-1-9020-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1576NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
SPL BY81-12 (803 +/-3NM)

SPL BY81-12 (803 +/-3NM)

Kirjeldus: LASER BAR QCW

Tootjad: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Laos
RFQ
VLM-650-14-LPT

VLM-650-14-LPT

Kirjeldus: LASER DIODE 650NM 2.5MW 12MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
GH06560B2C

GH06560B2C

Kirjeldus: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GH06507B2A

GH06507B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GH04020B2A

GH04020B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
DM80-01-3-8940-3-LC

DM80-01-3-8940-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1583NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
VLM-635-18 LPA

VLM-635-18 LPA

Kirjeldus: LASER DIODE 635NM 2.4-2.6MW 13MM

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
VLM-635-15-LPA

VLM-635-15-LPA

Kirjeldus: LASER DIODE 635NM 5MW 12MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Kirjeldus: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
VLM-650-32-LPA

VLM-650-32-LPA

Kirjeldus: LASER DIODE 650NM 2.5MW MODULE

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
DM80-01-3-9190-3-LC

DM80-01-3-9190-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1562NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
VLM-532-43-LCB

VLM-532-43-LCB

Kirjeldus: LASER DIODE 532NM 10MW 13MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
DM80-01-1-9310-3-LC

DM80-01-1-9310-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1553NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Kirjeldus: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Tootjad: AVX Corporation
Laos
RFQ
GH06550B2B

GH06550B2B

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
DM200-01-1-9260-0-LC

DM200-01-1-9260-0-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1556NM 1.995MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH06510B2A

GH06510B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.