Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Optoelektroonika > Laserdioodid, moodulid > GH04P21A2GE
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3823232GH04P21A2GE piltSharp Microelectronics

GH04P21A2GE

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GH04P21A2GE
  • Tootja / bränd
    Sharp Microelectronics
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    LASER DIODE 406NM 105MW TO18
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GH04P21A2GE.pdf
  • Lainepikkus
    406nm
  • Pinge - sisend
    5.4V
  • Seeria
    -
  • Võimsus (W)
    105mW
  • Pakett / kott
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Muud nimed
    425-2697
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    2 (1 Year)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Laser Diode 406nm 105mW 5.4V 150mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Praegune hindamine
    150mA

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GH04P21A2GE" seotud tooted.
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Kirjeldus: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GH06510B2A

GH06510B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
DM80-01-3-8890-3-LC

DM80-01-3-8890-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1587NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH06550B2B

GH06550B2B

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Kirjeldus: BARE LASER BAR

Tootjad: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Laos
RFQ
DM80-01-1-8760-3-LC

DM80-01-1-8760-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1598NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH06507B2A

GH06507B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
VLM-532-43-LCB

VLM-532-43-LCB

Kirjeldus: LASER DIODE 532NM 10MW 13MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
DM80-01-3-8700-3-LC

DM80-01-3-8700-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1603NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
VLM-650-26-LPA

VLM-650-26-LPA

Kirjeldus: LASER DIODE 650NM 5MW

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
RFQ
HFE4191-441

HFE4191-441

Kirjeldus: LASER DIODE 850NM 0.5MW TO46-3

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH06560B2C

GH06560B2C

Kirjeldus: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
OPV240

OPV240

Kirjeldus: LASER DIODE 850NM 4.5MW 3SMD

Tootjad: Optek Technology / TT Electronics
Laos
RFQ
DM200-01-1-9280-0-LC

DM200-01-1-9280-0-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1554NM 1.995MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
DM200-01-1-9320-0-LC

DM200-01-1-9320-0-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH04020B2A

GH04020B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
DM200-01-3-9310-0-LC

DM200-01-3-9310-0-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
RFQ
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Kirjeldus: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Tootjad: AVX Corporation
Laos
RFQ
NX7563JB-BC-AZ

NX7563JB-BC-AZ

Kirjeldus: LASER DIODE 1550NM 135MW 14DIP

Tootjad: CEL (California Eastern Laboratories)
Laos
RFQ
GH04125A2A

GH04125A2A

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.