Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Kristallid, generaatorid, resonaatorid > Programmeeritavad ostsillaatorid > SIT8209AI-G-33S
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6047257SIT8209AI-G-33S piltSiTime

SIT8209AI-G-33S

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.06
10+
$5.419
50+
$4.144
100+
$3.825
500+
$2.678
1000+
$2.423
2500+
$2.359
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIT8209AI-G-33S
  • Tootja / bränd
    SiTime
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SIT8209AI-G-33S.pdf
    2.SIT8209AI-G-33S.pdf
  • Pinge - varustus
    3.3V
  • Tüüp
    XO (Standard)
  • Spread Spectrum Bandwidth
    -
  • Suurus / mõõde
    0.106" L x 0.094" W (2.70mm x 2.40mm)
  • Seeria
    SiT8209
  • Hinnangud
    -
  • Programmeeritav tüüp
    Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    4-SMD, No Lead
  • Väljund
    LVCMOS, LVTTL
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kõrgus
    0.031" (0.79mm)
  • Funktsioon
    Standby
  • Sagedus stabiilsus (kokku)
    -
  • Sageduse stabiilsus
    ±20ppm
  • Täpsem kirjeldus
    XO (Standard) LVCMOS, LVTTL 80.000001MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 3.3V Standby 4-SMD, No Lead
  • Praegune - Supply (Max)
    36mA
  • Praegune - Supply (Keelatud) (Max)
    70µA
  • Base Resonator
    MEMS
  • Kättesaadav sagedusvahemik
    80.000001MHz ~ 220MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIT8209AI-G-33S" seotud tooted.
SIT8209AI-G-18S

SIT8209AI-G-18S

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

Kirjeldus: OSC MEMS 114.285MHZ SMD

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

Kirjeldus: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-125.000000T

SIT8209AI-G1-18E-125.000000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-33E

SIT8209AI-G-33E

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

Kirjeldus: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-28E

SIT8209AI-G-28E

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS 20PPM

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-25S

SIT8209AI-G-25S

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-25E

SIT8209AI-G-25E

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 20PPM

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000X

SIT8209AI-8F-33S-98.304000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000Y

SIT8209AI-8F-33S-98.304000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-28S

SIT8209AI-G-28S

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000T

SIT8209AI-8F-33S-98.304000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-18E

SIT8209AI-G-18E

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS 20PPM

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.