Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Kristallid, generaatorid, resonaatorid > Oscillators > SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4782693SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y piltSiTime

SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.864
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y
  • Tootja / bränd
    SiTime
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y.pdf
  • Pinge - varustus
    1.8V
  • Tüüp
    XO (Standard)
  • Suurus / mõõde
    0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
  • Seeria
    SiT8209
  • Hinnangud
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-SMD, No Lead
  • Väljund
    LVCMOS, LVTTL
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    5 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kõrgus - istutatud (max)
    0.032" (0.80mm)
  • Funktsioon
    Enable/Disable
  • Sageduse stabiilsus
    ±20ppm
  • Sagedus
    114.285MHz
  • Täpsem kirjeldus
    114.285MHz XO (Standard) LVCMOS, LVTTL Oscillator 1.8V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • Praegune - Supply (Max)
    33mA
  • Praegune - Supply (Keelatud) (Max)
    30mA
  • Base Resonator
    MEMS

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y" seotud tooted.
SIT8209AI-G1-18E-125.000000Y

SIT8209AI-G1-18E-125.000000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

Kirjeldus: OSC MEMS 114.285MHZ SMD

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

Kirjeldus: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.000000T

SIT8209AI-G1-18E-133.000000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.000000X

SIT8209AI-G1-18E-133.000000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.300000Y

SIT8209AI-G1-18E-133.300000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.300000X

SIT8209AI-G1-18E-133.300000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.000000Y

SIT8209AI-G1-18E-133.000000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.330000T

SIT8209AI-G1-18E-133.330000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-125.000000X

SIT8209AI-G1-18E-125.000000X

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-33S

SIT8209AI-G-33S

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-133.300000T

SIT8209AI-G1-18E-133.300000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-125.000000T

SIT8209AI-G1-18E-125.000000T

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

Kirjeldus: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
SIT8209AI-G-33E

SIT8209AI-G-33E

Kirjeldus: OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM

Tootjad: SiTime
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.