Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG23M R3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
247119BYG23M R3G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

BYG23M R3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
16200+
$0.078
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG23M R3G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BYG23M R3G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 1.5A
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    65ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    BYG23M R3G-ND
    BYG23MR3G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    19 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG23M R3G" seotud tooted.
BYG23M M2G

BYG23M M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHM3/TR3

BYG23MHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23MHE3_A/H

BYG23MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHE3_A/H

BYG22DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHE3/TR3

BYG23MHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG22DHM3_A/H

BYG22DHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M-M3/TR3

BYG23M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHM3/TR

BYG23MHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG22DHE3/TR3

BYG22DHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23M-M3/TR

BYG23M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M-E3/TR

BYG23M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHM3_A/I

BYG22DHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHM3/TR

BYG22DHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG22DHM3/TR3

BYG22DHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M-E3/TR3

BYG23M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHE3_A/I

BYG22DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.