Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG23MHE3/TR3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2744144BYG23MHE3/TR3 piltVishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3/TR3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
7500+
$0.135
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG23MHE3/TR3
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.BYG23MHE3/TR3.pdf
    2.BYG23MHE3/TR3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AC (SMA)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    75ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Tootja Partii number
    BYG23MHE3/TR3
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 1000V
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.7V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1000V (1kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG23MHE3/TR3" seotud tooted.
BYG23MHM3_A/I

BYG23MHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHM3_A/H

BYG22DHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M R3G

BYG23M R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BYG23T-M3/TR3

BYG23T-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M-M3/TR

BYG23M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M-M3/TR3

BYG23M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHM3/TR3

BYG23MHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23M-E3/TR3

BYG23M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG24D-E3/TR

BYG24D-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHE3_A/H

BYG23MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHM3_A/I

BYG22DHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23M M2G

BYG23M M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BYG23M-E3/TR

BYG23M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23T-M3/TR

BYG23T-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG23MHM3/TR

BYG23MHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG23MHM3_A/H

BYG23MHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG24D-E3/TR3

BYG24D-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG22DHM3/TR3

BYG22DHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.