Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ESH1B M2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4128961ESH1B M2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1B M2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.069
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ESH1B M2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ESH1B M2G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    900mV @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    15ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    ESH1B M2G-ND
    ESH1BM2G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "ESH1B M2G" seotud tooted.
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH108M063AM2AA

ESH108M063AM2AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 63V T/H

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH108M025AL3AA

ESH108M025AL3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 25V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH108M025AH4AA

ESH108M025AH4AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 25V T/H

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH108M050AL4AA

ESH108M050AL4AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH108M016AH4AA

ESH108M016AH4AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 16V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH108M050AM7AA

ESH108M050AM7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH108M035AL3AA

ESH108M035AL3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1000UF 20% 35V T/H

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.