Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ESH1C R3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5379610ESH1C R3G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1C R3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.55
10+
$0.398
100+
$0.235
500+
$0.133
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ESH1C R3G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ESH1C R3G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    950mV @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    150V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    15ns
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    ESH1C R3GDKR
    ESH1C R3GDKR-ND
    ESH1CR3GDKR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 150V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ESH1C R3G" seotud tooted.
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1D-E3/61T

ESH1D-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1D-M3/5AT

ESH1D-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1DHE3/61T

ESH1DHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1DHE3_A/H

ESH1DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1D-M3/61T

ESH1D-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH1B M2G

ESH1B M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1D R3G

ESH1D R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.