Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > TC58BYG1S3HBAI4
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
145788

TC58BYG1S3HBAI4

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
210+
$3.895
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TC58BYG1S3HBAI4
  • Tootja / bränd
    Kioxia America, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TC58BYG1S3HBAI4.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    25ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Pakkuja seadme pakett
    63-TFBGA (9x11)
  • Seeria
    Benand™
  • Pakett / kott
    63-VFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (256M x 8)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TC58BYG1S3HBAI4" seotud tooted.
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Kirjeldus: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Kirjeldus: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Kirjeldus: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Kirjeldus: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Kirjeldus: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Kirjeldus: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.