Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > TC58BYG2S0HBAI6
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
752395TC58BYG2S0HBAI6 piltToshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$5.13
10+
$4.686
25+
$4.596
50+
$4.565
100+
$4.095
338+
$4.079
676+
$3.825
1014+
$3.662
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TC58BYG2S0HBAI6
  • Tootja / bränd
    Kioxia America, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TC58BYG2S0HBAI6.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    25ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Pakkuja seadme pakett
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Seeria
    Benand™
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    67-VFBGA
  • Muud nimed
    TC58BYG2S0HBAI6JDH
    TC58BYG2S0HBAI6YCL
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (512M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Juurdepääsuaeg
    25ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "TC58BYG2S0HBAI6" seotud tooted.
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Kirjeldus: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Kirjeldus: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Kirjeldus: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Kirjeldus: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Kirjeldus: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Kirjeldus: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Kirjeldus: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Kirjeldus: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Kirjeldus: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Kirjeldus: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.