Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid > HN1B04FU-GR,LF

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6341675

HN1B04FU-GR,LF pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

HN1B04FU-GR,LF
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

HN1B04FU-GR,LF.pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Transistori tüüp

NPN, PNP
Pakkuja seadme pakett

US6
Seeria

-
Võimsus - maks

200mW
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muud nimed

HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-ND
HN1B04FU-GRLFCT
Töötemperatuur

125°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

150MHz
Täpsem kirjeldus

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V
Praegune - koguja piiramine (max)

100nA (ICBO)
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

150mA

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "HN1B04FU-GR,LF" seotud tooted.

HN1C01FE-Y,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B04FU-Y,LF

Kirjeldus: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B01FU-GR,LF

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B01FDW1T1G

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HN1B04FE-GR,LF

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B01FDW1T1

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

HN1C01FYTE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C01FU-GR,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1A01FU-GR,LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C01FE-GR,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1A01FU-Y,LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B04FE-Y,LF

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.