Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid > HN1C03FU-A(TE85L,F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3339439HN1C03FU-A(TE85L,F piltToshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.51
10+
$0.403
25+
$0.34
100+
$0.276
250+
$0.229
500+
$0.189
1000+
$0.142
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HN1C03FU-A(TE85L,F
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    HN1C03FU-A(TE85L,F.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    100mV @ 3mA, 30mA
  • Transistori tüüp
    2 NPN (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    US6
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    200mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    HN1C03FU-A(TE85LFCT
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    30MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 4mA, 2V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    300mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "HN1C03FU-A(TE85L,F" seotud tooted.
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D04FUTE85LF

HN1D04FUTE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Kirjeldus: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.