Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1101,LF(CT

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6120136

RN1101,LF(CT pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.036

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN1101,LF(CT
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN1101,LF(CT.pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistori tüüp

NPN - Pre-Biased
Pakkuja seadme pakett

SSM
Seeria

-
Takisti - emitteri alus (R2)

4.7 kOhms
Takisti - alus (R1)

4.7 kOhms
Võimsus - maks

100mW
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

SC-75, SOT-416
Muud nimed

RN1101(T5L,F,T)
RN1101(T5LFT)TR
RN1101(T5LFT)TR-ND
RN1101,LF(CB
RN1101,LF(CTTR
RN1101T5LFT
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

16 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

250MHz
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Praegune - koguja piiramine (max)

500nA
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

100mA

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN1101,LF(CT" seotud tooted.

RN104PJ360CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1103,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN104PJ390CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN104PJ330CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1101CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1102T5LFT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1101MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1102MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN104PJ820CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1102CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN104PJ7R5CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1102,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN104PJ300CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 30 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN104PJ3R0CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN104PJ750CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN104PJ620CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN104PJ472CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Laos

RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.