Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1101MFV,L3F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2651869RN1101MFV,L3F piltToshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
8000+
$0.027
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN1101MFV,L3F
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN1101MFV,L3F.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    NPN - Pre-Biased
  • Pakkuja seadme pakett
    VESM
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    4.7 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    150mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-723
  • Muud nimed
    RN1101MFV,L3F(B
    RN1101MFV,L3F(T
    RN1101MFVL3FTR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN1101MFV,L3F" seotud tooted.
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

Kirjeldus: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Tootjad: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.