Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN1961(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3268675RN1961(TE85L,F) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.57
10+
$0.409
25+
$0.318
100+
$0.241
250+
$0.17
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN1961(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN1961(TE85L,F).pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    US6
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    4.7 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    200mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    RN1961(TE85LF)CT
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    250MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN1961(TE85L,F)" seotud tooted.
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.