Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN1961FE(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3939946RN1961FE(TE85L,F) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN1961FE(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN1961FE(TE85L,F).pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    ES6
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    4.7 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Muud nimed
    RN1961FE(TE85LF)TR
    RN1961FETE85LF
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    250MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN1961FE(TE85L,F)" seotud tooted.
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.