Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TJ80S04M3L(T6L1,NQ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3641650

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$1.009
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    +10V, -20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    DPAK+
  • Seeria
    U-MOSVI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 40A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    100W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    TJ80S04M3L(T6L1NQ
    TJ80S04M3LT6L1NQ
  • Töötemperatuur
    175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7770pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    158nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "TJ80S04M3L(T6L1,NQ" seotud tooted.
BSH111,235

BSH111,235

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTMFS4925NT3G

NTMFS4925NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 48A SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AO4456

AO4456

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRL2203STRR

IRL2203STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NP40N10VDF-E2-AY

NP40N10VDF-E2-AY

Kirjeldus: TRANSISTOR

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFP3703PBF

IRFP3703PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BXL4004-1E

BXL4004-1E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2SK4116LS

2SK4116LS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3483DV-T1-E3

SI3483DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NTD20N03L27-001

NTD20N03L27-001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPB80P06P

SPB80P06P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.