Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD50N04-09H-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2508629SQD50N04-09H-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD50N04-09H-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQD50N04-09H-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQD50N04-09H-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252, (D-Pak)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    83W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    SQD50N04-09H-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4240pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQD50N04-09H-GE3" seotud tooted.
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.