Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPN11006NL,LQ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4009099TPN11006NL,LQ piltToshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.02
10+
$0.895
100+
$0.691
500+
$0.512
1000+
$0.409
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPN11006NL,LQ
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TPN11006NL,LQ.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 200µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Seeria
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    700mW (Ta), 30W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Muud nimed
    TPN11006NLLQDKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2000pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TPN11006NL,LQ" seotud tooted.
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN3021

TPN3021

Kirjeldus: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Kirjeldus: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.