Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPN22006NH,LQ

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2041826

TPN22006NH,LQ pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.367

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

TPN22006NH,LQ
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

TPN22006NH,LQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Seeria

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 4.5A, 10V
Voolukatkestus (max)

700mW (Ta), 18W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-PowerVDFN
Muud nimed

TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
TPN22006NHLQTR
Töötemperatuur

150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

710pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

6.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

60V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "TPN22006NH,LQ" seotud tooted.

TPN3021

Kirjeldus: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Tootjad: STMicroelectronics

Laos

TPN11003NL,LQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN14006NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN4R203NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN3021RL

Kirjeldus: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Tootjad: STMicroelectronics

Laos

TPN2010FNH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN30008NH,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN1600ANH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN2R703NL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN2R203NC,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN1110ENH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN1R603PL,L1Q

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN4R303NL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN2R304PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN13008NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN3R704PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN3300ANH,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPN11006NL,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.