Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG10DHE3/TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2064205BYG10DHE3/TR piltVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
7200+
$0.132
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG10DHE3/TR
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.BYG10DHE3/TR.pdf
    2.BYG10DHE3/TR.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AC (SMA)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    4µs
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Tootja Partii number
    BYG10DHE3/TR
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 200V
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    200V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG10DHE3/TR" seotud tooted.
BYG10DHE3/TR3

BYG10DHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3/TR3

BYG10DHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10G-M3/TR

BYG10G-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3_A/I

BYG10DHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHE3/TR3

BYG10GHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10DHE3_A/H

BYG10DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3/TR

BYG10DHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10G-E3/TR3

BYG10G-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10G-M3/TR3

BYG10G-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10D-M3/TR3

BYG10D-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10D-E3/TR3

BYG10D-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3_A/H

BYG10DHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHE3_A/I

BYG10DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10D-M3/TR

BYG10D-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10G-E3/TR

BYG10G-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.