Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG10KHE3/TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1916487BYG10KHE3/TR piltVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
7200+
$0.132
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG10KHE3/TR
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.BYG10KHE3/TR.pdf
    2.BYG10KHE3/TR.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AC (SMA)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    4µs
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Tootja Partii number
    BYG10KHE3/TR
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 800V
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    800V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG10KHE3/TR" seotud tooted.
BYG10K-E3/TR

BYG10K-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10K-M3/TR

BYG10K-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHE3/TR3

BYG10KHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10JHE3_A/H

BYG10JHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10K-M3/TR3

BYG10K-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10JHM3/TR3

BYG10JHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.