Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG10M-M3/TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5455059BYG10M-M3/TR piltElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG10M-M3/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
12600+
$0.135
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG10M-M3/TR
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BYG10M-M3/TR.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.15V @ 1.5A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    4µs
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    44 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Avalanche
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG10M-M3/TR" seotud tooted.
BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10Y-E3/TR

BYG10Y-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10M-M3/TR3

BYG10M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10MHE3/TR3

BYG10MHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10MHM3/TR3

BYG10MHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10MHM3/TR

BYG10MHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10MHE3_A/I

BYG10MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10KHE3/TR3

BYG10KHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10MHE3/TR

BYG10MHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10KHE3/TR

BYG10KHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.