Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG10MHE3/TR

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5326046

BYG10MHE3/TR pilt

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

7200+

$0.132

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

BYG10MHE3/TR
Tootja / bränd

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.BYG10MHE3/TR.pdf
2.BYG10MHE3/TR.pdf
Pinge - Peak Reverse (Max)

Avalanche
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1.5A
Pinge - jaotus

DO-214AC (SMA)
Seeria

-
RoHS staatus

Tape & Reel (TR)
Pöörde taastamise aeg (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistentsus @ Kui, F

-
Polarisatsioon

DO-214AC, SMA
Töötemperatuur - ühenduskoht

4µs
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

14 Weeks
Tootja Partii number

BYG10MHE3/TR
Laiendatud kirjeldus

Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Dioodide seadistamine

1µA @ 1000V
Kirjeldus

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Praegune - tagasikäik @ Vr

1.15V @ 1.5A
Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)

1000V (1kV)
Mahtuvus @ Vr, F

-55°C ~ 150°C

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "BYG10MHE3/TR" seotud tooted.

BYG10MHE3_A/I

BYG10MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10MHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

BYG10M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10KHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

BYG10M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10MHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10KHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

BYG10MHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

BYG10Y-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10Y-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10Y-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.