Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Vooluahela kaitse > TVS - dioodid > SM8S33A-001HE3/2D
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1876408

SM8S33A-001HE3/2D

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SM8S33A-001HE3/2D
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 33VWM DO218AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SM8S33A-001HE3/2D.pdf
  • Pinge - tagurdamine (tüüp)
    1
  • Pinge - kinnitus (max) @ Ipp
    36.7V
  • Pinge - jaotus (min)
    33V
  • Pinge - jaotus
    DO-218AB
  • Tüüp
    Zener
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PAR®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Ripple Current - madal sagedus
    Automotive
  • Toiteliini kaitse
    6600W (6.6kW)
  • Võimsus - Peak pulss
    124A
  • Polarisatsioon
    DO-218AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    SM8S33A-001HE3/2D
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 33VWM DO218AB
  • Praegus - Peak pulss (10 / 1000μs)
    53.3V
  • Mahtuvus @ sagedus
    -
  • Kahepoolsed kanalid
    No

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SM8S33A-001HE3/2D" seotud tooted.
SM8S30A-E3/2D

SM8S30A-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3_A/I

SM8S33AHE3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30HE3/2D

SM8S30HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 53.5V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33A-E3/2D

SM8S33A-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30AHE3_A/I

SM8S30AHE3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30A-TP

SM8S30A-TP

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SM8S33AHE3S/2D

SM8S33AHE3S/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S33ATHE3/I

SM8S33ATHE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33A-TP

SM8S33A-TP

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SM8S36-2HE3/I

SM8S36-2HE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 36VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S36-7000HE3/2D

SM8S36-7000HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S28ATHE3/I

SM8S28ATHE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 28V 45.4V DO218AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3/2D

SM8S33AHE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30AHE3/2D

SM8S30AHE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30-E3/2D

SM8S30-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 53.5V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30AHE3/2E

SM8S30AHE3/2E

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30ATHE3/I

SM8S30ATHE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 48.4V DO218AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3/2E

SM8S33AHE3/2E

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33HE3/2D

SM8S33HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 59V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S28HE3/2D

SM8S28HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 28V 50.1V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.