Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Vooluahela kaitse > TVS - dioodid > SM8S36-2HE3/I
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5472930

SM8S36-2HE3/I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SM8S36-2HE3/I
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 36VWM DO218AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SM8S36-2HE3/I.pdf
  • Pinge - tagurdamine (tüüp)
    1
  • Pinge - kinnitus (max) @ Ipp
    40V
  • Pinge - jaotus (min)
    36V
  • Pinge - jaotus
    DO-218AB
  • Tüüp
    Zener
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PAR®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Ripple Current - madal sagedus
    Automotive
  • Toiteliini kaitse
    6600W (6.6kW)
  • Võimsus - Peak pulss
    103A
  • Polarisatsioon
    DO-218AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    SM8S36-2HE3/I
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 36VWM DO218AB
  • Praegus - Peak pulss (10 / 1000μs)
    64.3V
  • Mahtuvus @ sagedus
    -
  • Kahepoolsed kanalid
    No

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SM8S36-2HE3/I" seotud tooted.
SM8S33HE3/2D

SM8S33HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 59V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36HE3/2D

SM8S36HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 64.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33A-TP

SM8S33A-TP

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SM8S36A-E3/2D

SM8S36A-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36A-TP

SM8S36A-TP

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AB

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SM8S36AHE3_A/I

SM8S36AHE3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3/2E

SM8S33AHE3/2E

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3S/2D

SM8S33AHE3S/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S33A-001HE3/2D

SM8S33A-001HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S33ATHE3/I

SM8S33ATHE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36-7001HE4/2N

SM8S36-7001HE4/2N

Kirjeldus: TVS DIODE 36VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S36-E3/2D

SM8S36-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 64.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33AHE3/2D

SM8S33AHE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36-7000HE3/2D

SM8S36-7000HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S33AHE3_A/I

SM8S33AHE3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S33A-E3/2D

SM8S33A-E3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36ATHE3/I

SM8S36ATHE3/I

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S36A-7001HE4/2N

SM8S36A-7001HE4/2N

Kirjeldus: TVS DIODE 36VWM DO218AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
SM8S36AHE3/2D

SM8S36AHE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SM8S30HE3/2D

SM8S30HE3/2D

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 53.5V DO218AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.