Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > VS-1N3879R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6933109VS-1N3879R piltVishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3879R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$3.739
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    VS-1N3879R
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    6A
  • Pinge - jaotus
    DO-203AA
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Muud nimed
    *1N3879R
    1N3879R
    1N3879R-ND
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    300ns
  • Paigaldus tüüp
    Chassis, Stud Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Tootja Partii number
    VS-1N3879R
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 50V 6A Chassis, Stud Mount DO-203AA
  • Dioodide seadistamine
    15µA @ 50V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.4V @ 6A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    50V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "VS-1N3879R" seotud tooted.
VS-1N3766R

VS-1N3766R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3883

VS-1N3883

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3768R

VS-1N3768R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3673A

VS-1N3673A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3889

VS-1N3889

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3879

VS-1N3879

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3890R

VS-1N3890R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3765

VS-1N3765

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 700V 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3881R

VS-1N3881R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3890

VS-1N3890

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3672A

VS-1N3672A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3880

VS-1N3880

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3882

VS-1N3882

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3767

VS-1N3767

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3882R

VS-1N3882R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3880R

VS-1N3880R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3768

VS-1N3768

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3673RA

VS-1N3673RA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3881

VS-1N3881

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3766

VS-1N3766

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.