Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > VS-1N3882R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1512387VS-1N3882R piltVishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3882R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$4.89
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    VS-1N3882R
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    6A
  • Pinge - jaotus
    DO-203AA
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Muud nimed
    *1N3882R
    1N3882R
    1N3882R-ND
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    300ns
  • Paigaldus tüüp
    Chassis, Stud Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Tootja Partii number
    VS-1N3882R
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 300V 6A Chassis, Stud Mount DO-203AA
  • Dioodide seadistamine
    15µA @ 300V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.4V @ 6A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    300V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "VS-1N3882R" seotud tooted.
VS-1N3879

VS-1N3879

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3768

VS-1N3768

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3892R

VS-1N3892R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3892

VS-1N3892

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3893R

VS-1N3893R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3893

VS-1N3893

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3889

VS-1N3889

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3881R

VS-1N3881R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3879R

VS-1N3879R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3891R

VS-1N3891R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3767

VS-1N3767

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3890

VS-1N3890

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3882

VS-1N3882

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3891

VS-1N3891

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3881

VS-1N3881

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3768R

VS-1N3768R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3880R

VS-1N3880R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3883

VS-1N3883

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3890R

VS-1N3890R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-1N3880

VS-1N3880

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.