Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W947D2HBJX5E TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3791135W947D2HBJX5E TR piltWinbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5E TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$2.656
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W947D2HBJX5E TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W947D2HBJX5E TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-VFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Muud nimed
    W947D2HBJX5E TR-ND
    W947D2HBJX5ETR
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (4M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W947D2HBJX5E TR" seotud tooted.
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.