Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W947D6HBHX5E TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
490060W947D6HBHX5E TR piltWinbond Electronics Corporation

W947D6HBHX5E TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.92
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W947D6HBHX5E TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W947D6HBHX5E TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pakkuja seadme pakett
    60-VFBGA (8x9)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Muud nimed
    W947D6HBHX5E CT
    W947D6HBHX5E CT-ND
    W947D6HBHX5ECT
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W947D6HBHX5E TR" seotud tooted.
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX6E TR

W948D2FBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX6E

W948D2FBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.