Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W971GG8KB-25 TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4101196W971GG8KB-25 TR piltWinbond Electronics Corporation

W971GG8KB-25 TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W971GG8KB-25 TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W971GG8KB-25 TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-WBGA (8x12.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Muud nimed
    W971GG8KB-25 TR-ND
    W971GG8KB-25TR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (128M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W971GG8KB-25 TR" seotud tooted.
W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8SB-25 TR

W971GG8SB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-18 TR

W971GG6SB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8SB25I

W971GG8SB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9725G6IB-25

W9725G6IB-25

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9725G6KB-18

W9725G6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9725G6KB-18 TR

W9725G6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9725G6JB25I

W9725G6JB25I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.