Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W971GG6SB-18 TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2731539W971GG6SB-18 TR piltWinbond Electronics Corporation

W971GG6SB-18 TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$3.666
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W971GG6SB-18 TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W971GG6SB-18 TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    84-WBGA (8x12.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    84-TFBGA
  • Muud nimed
    W971GG6SB-18 TR-ND
    W971GG6SB-18TR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (64M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 350ps 84-WBGA (8x12.5)
  • Kellade sagedus
    533MHz
  • Juurdepääsuaeg
    350ps

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W971GG6SB-18 TR" seotud tooted.
W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB25I

W9712G6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-25 TR

W971GG6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB25I

W971GG6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-18

W971GG6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB-25 TR

W9712G6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-18 TR

W971GG6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-25

W971GG6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB25I TR

W9712G6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.