Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W979H6KBVX2E TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
254219W979H6KBVX2E TR piltWinbond Electronics Corporation

W979H6KBVX2E TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3500+
$4.642
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W979H6KBVX2E TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W979H6KBVX2E TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    134-VFBGA
  • Muud nimed
    W979H6KBVX2E TR-ND
    W979H6KBVX2ETR
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (32M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    400MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W979H6KBVX2E TR" seotud tooted.
W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBQX2E

W97AH2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2E TR

W97AH6KBVX2E TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBVX2E

W97AH2KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.