Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W97AH2KBVX2E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1601809W97AH2KBVX2E piltWinbond Electronics Corporation

W97AH2KBVX2E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
168+
$6.524
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W97AH2KBVX2E
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W97AH2KBVX2E.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    134-VFBGA
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (32M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    400MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W97AH2KBVX2E" seotud tooted.
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97BH2KBVX2E

W97BH2KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97BH2KBQX2E

W97BH2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2I

W97AH6KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2E TR

W97AH6KBVX2E TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97BH2KBQX2I

W97BH2KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH6KBVX2I TR

W97AH6KBVX2I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W97AH2KBQX2E

W97AH2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.