Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W987D6HBGX6I
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5193451W987D6HBGX6I piltWinbond Electronics Corporation

W987D6HBGX6I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
312+
$2.665
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W987D6HBGX6I
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W987D6HBGX6I.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Pakkuja seadme pakett
    54-VFBGA (8x9)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    54-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W987D6HBGX6I" seotud tooted.
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.