Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W988D2FBJX7E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5282664W988D2FBJX7E piltWinbond Electronics Corporation

W988D2FBJX7E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
240+
$3.219
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W988D2FBJX7E
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W988D2FBJX7E.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-VFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (8M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    133MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W988D2FBJX7E" seotud tooted.
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.