Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W989D2DBJX6I
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6747477W989D2DBJX6I piltWinbond Electronics Corporation

W989D2DBJX6I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
240+
$3.711
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W989D2DBJX6I
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W989D2DBJX6I.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-VFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (16M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W989D2DBJX6I" seotud tooted.
W98AD6KBGX6E

W98AD6KBGX6E

Kirjeldus: IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD2KBJX6I TR

W98AD2KBJX6I TR

Kirjeldus: 1GB MSDR X32 166MHZ IND

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD6KBGX6E TR

W98AD6KBGX6E TR

Kirjeldus: 1GB MSDR X16 166MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D6DBGX6I TR

W989D6DBGX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD2KBJX6I

W98AD2KBJX6I

Kirjeldus: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD2KBJX6E

W98AD2KBJX6E

Kirjeldus: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD2KBJX6E TR

W98AD2KBJX6E TR

Kirjeldus: 1GB MSDR X32 166MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W98AD6KBGX6I

W98AD6KBGX6I

Kirjeldus: 1GB MSDR X16 166MHZ IND

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.