Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M011A050H

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

220244

GP1M011A050H pilt

Global Power Technologies Group

GP1M011A050H

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

GP1M011A050H
Tootja / bränd

SemiQ
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 500V 11A TO220
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

GP1M011A050H.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-220
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

670 mOhm @ 5.5A, 10V
Voolukatkestus (max)

158W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-220-3
Muud nimed

1560-1179-1
1560-1179-1-ND
1560-1179-5
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1423pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

500V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 500V 11A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "GP1M011A050H" seotud tooted.

GP1M011A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M012A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M015A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M016A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A090N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M016A025HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M012A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M013A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M015A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M013A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.