Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > BVSS123LT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6946695BVSS123LT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.076
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BVSS123LT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BVSS123LT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    225mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    40 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    20pF @ 25V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BVSS123LT1G" seotud tooted.
IRF2804

IRF2804

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IXFX210N30X3

IXFX210N30X3

Kirjeldus: 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
CPH3455-TL-H

CPH3455-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF9510L

IRF9510L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
IXFB90N85X

IXFB90N85X

Kirjeldus: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
VMO550-01F

VMO550-01F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 135A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFR024TRL

IRFR024TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STF13NM60N-H

STF13NM60N-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STP2N95K5

STP2N95K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 950V 2A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Kirjeldus: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.