Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > BVSS138LT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2976522BVSS138LT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS138LT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.43
10+
$0.391
100+
$0.219
500+
$0.117
1000+
$0.08
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BVSS138LT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BVSS138LT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 200mA, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    225mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    BVSS138LT1GOSCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    40 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "BVSS138LT1G" seotud tooted.
SSM5G10TU(TE85L,F)

SSM5G10TU(TE85L,F)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
STD90N4F3

STD90N4F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 150A TO-220

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IPS090N03LGBKMA1

IPS090N03LGBKMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRL1404PBF

IRL1404PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
BUZ30AHXKSA1

BUZ30AHXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IPP03N03LB G

IPP03N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TPCF8A01(TE85L)

TPCF8A01(TE85L)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRF3314STRR

IRF3314STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DN3765K4-G

DN3765K4-G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Kirjeldus: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.