Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > BVSS84LT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
666008BVSS84LT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS84LT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.081
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BVSS84LT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BVSS84LT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 100mA, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    225mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    BVSS84LT1G-ND
    BVSS84LT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    36 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    36pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    130mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "BVSS84LT1G" seotud tooted.
AUIRLR3636

AUIRLR3636

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTHS5443T1G

NTHS5443T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK7606-55B,118

BUK7606-55B,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
IRF7811TR

IRF7811TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Kirjeldus: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
FDS7088SN3

FDS7088SN3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF830PBF

IRF830PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AUIRF7416QTR

AUIRF7416QTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTQ280N055T

IXTQ280N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Kirjeldus: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
AOD2606

AOD2606

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46A TO252

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
FQA10N60C

FQA10N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.