Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCU2250N80Z
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3514704FCU2250N80Z piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCU2250N80Z
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FCU2250N80Z.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    39W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCU2250N80Z" seotud tooted.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Kirjeldus: TRANS SJT 1200V 5A

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU-2

FCU-2

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU-7

FCU-7

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Kirjeldus: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.