Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCU850N80Z
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6392111FCU850N80Z piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU850N80Z

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.50
10+
$2.254
100+
$1.811
500+
$1.409
1000+
$1.167
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCU850N80Z
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FCU850N80Z.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    IPAK (TO-251)
  • Seeria
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    75W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    52 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1315pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCU850N80Z" seotud tooted.
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FCU-7

FCU-7

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
NTTFS4C13NTAG

NTTFS4C13NTAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MTP2955V

MTP2955V

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPB45N06S4L08ATMA1

IPB45N06S4L08ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Kirjeldus: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STFW24N60M2

STFW24N60M2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
NTD18N06-001

NTD18N06-001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Kirjeldus: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU-2

FCU-2

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD120AN15A0

FDD120AN15A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.